臺積電首次公開2nm的關(guān)鍵性指標！將實現(xiàn)質(zhì)的飛躍

　　臺積電舉辦了線上2021年度技術(shù)研討會，公布了未來的新工藝進展，6nm、5nm、4nm、3nm、2nm都有新消息公開。

　　2nm目前是各大半導(dǎo)體劇透角逐的制高點，IBM甚至已經(jīng)在實驗室內(nèi)成功制作出，并率先公布了2nm芯片，除了臺積電、三星兩大代工巨頭之外，歐洲、日本也在野心勃勃地規(guī)劃關(guān)于2nm的計劃。

　　不同于之前的世代在相同的基礎(chǔ)架構(gòu)上不斷精進，臺積電的2nm工藝將是真正全新設(shè)計的，號稱史上最大的飛躍，最大特點就是會首次引入納米片(nanosheet)晶體管，取代現(xiàn)在的FinFET結(jié)構(gòu)。

　　臺積電表示，納米片晶體管可以更好地控制閾值電壓(Vt)——在半導(dǎo)體領(lǐng)域，Vt是電路運行所需的最低電壓，它的任何輕微波動，都會顯著影響芯片的設(shè)計、性能，自然是越小越好。

　　臺積電宣稱，根據(jù)試驗，納米片晶體管可將Vt波動降低至少15％。

　　目前，臺積電的2nm工藝剛剛進入正式研發(fā)階段，此前消息是2023年試產(chǎn)、2024年量產(chǎn)。