在新一代半導(dǎo)體工藝中,美國本土的廠商已經(jīng)落后于三星、臺積電,Intel最先進的工藝現(xiàn)在還是10nm。日前有消息稱三星準備在美國建設(shè)5nm EUV芯片廠。
據(jù)韓媒援引業(yè)內(nèi)人士消息,三星電子已決定在美國得克薩斯州奧斯丁設(shè)立EUV半導(dǎo)體工廠,以滿足日益增長的小型芯片需求和美國重振半導(dǎo)體計劃。該工廠將采用5nm制程,計劃于今年Q3開工,2024年投產(chǎn),預(yù)計耗資180億美元。這次在美國建廠也是三星電子首次在韓國之外設(shè)立EUV產(chǎn)線。業(yè)內(nèi)估計三星將在5月21日左右就此發(fā)布正式公告。
在此之前,臺積電去年宣布,將在美國亞利桑那州建設(shè)一座芯片工廠,建成之后將采用5nm工藝為相關(guān)的客戶代工芯片,計劃月產(chǎn)能20000片晶圓,這一工廠計劃2021年開始建設(shè),目標是2024年投產(chǎn),臺積電計劃2021年到2029年在這一工廠投資120億美元。
最新消息稱,臺積電管理層目前正在討論,他們在美國的下一座芯片工廠,是否采用更先進的3nm制程工藝,為相關(guān)的客戶代工芯片。
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