半導(dǎo)體王者歸來？Intel 7nm關(guān)鍵指標(biāo)泄漏：比肩3nm

　　這幾天，Intel公布了雄心勃勃的IDM 2.0戰(zhàn)略，將投資200億美元建設(shè)兩座半導(dǎo)體晶圓廠，7nm工藝要在2023年量產(chǎn)，目標(biāo)是要重回半導(dǎo)體領(lǐng)先地位。

　　在14nm節(jié)點之前，特別是22nm首發(fā)3D晶體管FinFET工藝之后，Intel在2014年之前可以說是全球最先進(jìn)的半導(dǎo)體工廠，官方PPT曾經(jīng)表示他們領(lǐng)先友商至少3.5年，考慮到當(dāng)時三星、臺積電的情況，Intel此言不虛。

　　當(dāng)然，這幾年情況變了，14nm工藝雖然性能很好，但是從2014到現(xiàn)在都用了7年了，臺積電三星這幾年中可是從28nm一路升級到了5nm工藝，明年都要量產(chǎn)3nm工藝了。

　　Intel今年的主力會是10nm，下一個節(jié)點7nm原定是2021年，不過跳票到了2023年，首款CPU產(chǎn)品將是Meteor Lake，今年Q2季度會Tape in，也就是完成設(shè)計工作，即將進(jìn)入流片階段。

　　那Intel的7nm工藝到底如何？現(xiàn)在還沒明確消息，不過業(yè)界大站Anandtech的主編Ian Cutress公布了一些數(shù)據(jù)，對比了不同工藝的晶體管密度，如下所示：

　　臺積電的5nm工藝密度是1.71億晶體管/mm2，3nm工藝可達(dá)2.9億晶體管/mm2，而Intel的10nm工藝是1.01億晶體管/mm2，7nm節(jié)點可達(dá)2-2.5億晶體管/mm2。

　　對比的話，Intel的7nm工藝按最高水平來看，非常接近臺積電的3nm工藝，哪怕在2023年問世，有這個水平的話也不比臺積電差多少，不像現(xiàn)在這樣14nm、10nm工藝被7nm、5nm遙遙領(lǐng)先。

　　當(dāng)然，以上都是極限水平，實際表現(xiàn)還要看處理器的具體情況，只是現(xiàn)在這個數(shù)據(jù)足以說明Intel的7nm工藝不容小覷，耐心等待兩年，或許Intel真的王者歸來了。