十銓宣布DDR5超頻內(nèi)存：2.6V電壓超過第一代DDR

　　DDR5時(shí)代即將到來，各家顆粒、模組廠商都在積極備戰(zhàn)，新成果也不斷公布。和其他廠商提高頻率、擴(kuò)大容量的傳統(tǒng)路子不同，十銓科技(Team Group)選擇了超頻，而且是瘋狂的超頻。

　　十銓今天宣布，完成標(biāo)準(zhǔn)型DDR5 U-DIMM桌面型、SO-DIMM筆記本型內(nèi)存，并與主板廠商合作驗(yàn)證，旗下的T-FORCE品牌已經(jīng)成功打造出DDR5超頻內(nèi)存，并第一時(shí)間送樣華碩、華擎、微星、技嘉四大板廠進(jìn)行超頻能力測試合作。

　　DDR5內(nèi)存的升級之一就是強(qiáng)化了電源管理單元(PMIC)，從而擁有更大幅度的電壓調(diào)整空間，可以輕松做到2.6V以上的電壓，從而達(dá)成更高頻率。

　　在以前，DDR內(nèi)存的電壓轉(zhuǎn)換都是由主板控制，DDR5則將相關(guān)組件移至內(nèi)存本身，電壓轉(zhuǎn)換都由內(nèi)存自行處理。

　　這樣一來，不僅可以減少電壓損耗，還可減少噪聲產(chǎn)生，擴(kuò)大超頻空間。

　　十銓沒有透露其DDR5內(nèi)存的具體超頻幅度，但是2.6V的電壓，已經(jīng)是DDR5 1.1V標(biāo)準(zhǔn)電壓的兩倍還多，甚至反超了第一代DDR內(nèi)存的2.5V！