近期有消息稱臺積電在3nm工藝開發(fā)上取得突破,第二版3nm制程的N3B會在今年8月份率先投片,第三版3nm制程的N3E的量產(chǎn)時間可能由原來的2023年下半年提前到2023年第二季度。
同時TomsHardware報道,本周臺積電總裁魏哲家證實,N2制程節(jié)點將如預(yù)期那樣使用Gate-all-around FETs(GAAFET)晶體管,,制造的過程仍依賴于現(xiàn)有的極紫外(EUV)光刻技術(shù)。預(yù)計臺積電在2024年末將做好風險生產(chǎn)的準備,并在2025年末進入大批量生產(chǎn),客戶在2026年就能收到首批2nm芯片。
魏哲家認為,臺積電N2制程節(jié)點在研發(fā)上已走上正軌,無論晶體管結(jié)構(gòu)和工藝進度都達到了預(yù)期。
隨著晶體管變得越來越細小,臺積電采用新工藝技術(shù)上的速度也變慢了,以往大概每兩年就會進入一個新的制程節(jié)點,現(xiàn)在則要等更長的時間。N2制程節(jié)點的時間表一直都不太確定,臺積電在2020年首次確認了該項工藝的研發(fā),根據(jù)過往信息,2022年初開始建設(shè)配套的晶圓廠,預(yù)計2023年中期完成建筑框架,2024年下半年安裝生產(chǎn)設(shè)備。
誰買誰是冤大頭
這次動畫版的翻車,都算不上我們經(jīng)??吹降哪欠N失敗翻拍,它幾乎只是個半成品....