年產(chǎn)內(nèi)存3000萬條 我國重要存儲芯片項目年底投產(chǎn)

　　今年底我國又要建成一條重要的存儲芯片生產(chǎn)線了，據(jù)報道深科技子公司合肥沛頓存儲科技有限公司一期項目圓滿封頂，預(yù)計年底投產(chǎn)，主要從事內(nèi)存及閃存芯片封測。

　　按照建設(shè)規(guī)劃，合肥沛頓存儲項目將于今年9月底完成全部建設(shè)任務(wù)，10月初進駐生產(chǎn)設(shè)備，力爭于今年年底實現(xiàn)投產(chǎn)并形成有效產(chǎn)能。

　　項目達產(chǎn)后，預(yù)計可實現(xiàn)年封測DRAM顆粒5.76億顆，年封裝NAND FLASH 3840萬顆，年產(chǎn)內(nèi)存模組3000萬條的生產(chǎn)能力，預(yù)計可實現(xiàn)年營收28億元左右。

　　根據(jù)深科技沛頓與國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期股份有限公司、合肥經(jīng)開產(chǎn)業(yè)投促創(chuàng)業(yè)投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）、中電聚芯一號（天津）企業(yè)管理合伙企業(yè)（有限合伙）簽署的《投資協(xié)議》，深科技沛頓存儲各方股東已于2020年11月出資40000.00萬元，其中深科技沛頓首期出資22352.00萬元已按約定支付完畢。

　　各方股東將同步進行第二期出資，深科技沛頓出資148,648.00萬元，其中募集資金146165.28萬元，自有資金2482.72萬元。