三星首發(fā)DDR5內(nèi)存集成電源管理IC：能效高達(dá)91％

　　三星電子今天宣布，全球首家推出用于新一代DDR5內(nèi)存的集成電源控制單元(PMIC)，包括三款型號S2FPD01、S2FPD02、S2FPC01。DDR5內(nèi)存的變化是全方面的，其中很關(guān)鍵的一點，就是將原來位于主板上的PMIC，直接集成進(jìn)來，可以大大提升兼容性、信號完整性，提供更可靠、更穩(wěn)定的性能。三星的DDR5 PMIC單元配備了高效的混合柵極驅(qū)動器、專屬控制設(shè)計，其中后者利用了基于異步的雙相降壓控制機(jī)制。

　　S2FPD01、S2FPD02均面向數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器DDR5，分別適合小容量、大容量模組，號稱能效最高可達(dá)91％。S2FPC01則面向臺式機(jī)、筆記本DDR5，90nm工藝制造，封裝尺寸更小，性能一致性更佳。

　　以上三款PMIC已經(jīng)送樣給客戶。另外值得一提的是，DDR5內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)電壓也從1.2V進(jìn)一步降低至1.1V，同樣有助于節(jié)能，當(dāng)然很多高頻高端內(nèi)存會繼續(xù)加壓。