5月6日消息,IBM宣布造出了全球第一顆2nm工藝的半導(dǎo)體芯片。
核心指標(biāo)方面,IBM稱該2nm芯片的晶體管密度(MTr/mm2,每平方毫米多少百萬顆晶體管)為333.33,幾乎是臺積電5nm的兩倍,也比外界預(yù)估臺積電3nm工藝的292.21 MTr/mm2要高。換言之,在150平方毫米也就是指甲蓋大小面積內(nèi),就能容納500億顆晶體管。
同時,IBM表示,在同樣的電力消耗下,其性能比當(dāng)前7nm高出45%,輸出同樣性能則減少75%的功耗。實際上,IBM此前也是率先造出7nm(2015年)和5nm(2017年)芯片的廠商,在電壓等指標(biāo)的定義上很早就拿下主導(dǎo)權(quán)?;氐酱舜蔚?nm上,采用的是GAA(環(huán)繞柵極晶體管)技術(shù),三層。IBM介紹,這是第一次使用底介電隔離通道,它可以實現(xiàn)12 nm的柵長,其內(nèi)部間隔是第二代干法設(shè)計,有助于納米片的開發(fā)。這也是第一次使用EUV曝光FEOL部分過程。
需要注意的是,IBM并沒有自己的晶圓廠,2014年其制造工廠賣給了格芯,但兩者簽署了10年合作協(xié)議,另外,IBM也和三星、Intel保持合作。關(guān)于GAA晶體管技術(shù),三星3nm、Intel 5nm以及臺積電2nm均將首次采用。
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