英特爾推進(jìn)面向未來(lái)節(jié)點(diǎn)的技術(shù)創(chuàng)新，在2025年后鞏固制程領(lǐng)先性

　　英特爾正在按計(jì)劃實(shí)現(xiàn)其“四年五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)”的目標(biāo)，目前，Intel 7，采用EUV（極紫外光刻）技術(shù)的Intel 4和Intel 3均已實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。正在順利推進(jìn)中的Intel 20A和Intel 18A兩個(gè)節(jié)點(diǎn)，將繼續(xù)采用EUV技術(shù)，并應(yīng)用RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管和PowerVia背面供電技術(shù)，助力英特爾于2025年重奪制程領(lǐng)先性。

　　在“四年五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)”計(jì)劃之后，英特爾將繼續(xù)采用創(chuàng)新技術(shù)推進(jìn)未來(lái)制程節(jié)點(diǎn)的開(kāi)發(fā)和制造，以鞏固制程領(lǐng)先性。High NA EUV技術(shù)是EUV技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，數(shù)值孔徑（NA）是衡量收集和集中光線能力的指標(biāo)。通過(guò)升級(jí)將掩膜上的電路圖形反射到硅晶圓上的光學(xué)系統(tǒng)，High NA EUV光刻技術(shù)能夠大幅提高分辨率，從而有助于晶體管的進(jìn)一步微縮。

　　作為Intel 18A之后的下一個(gè)先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)，Intel 14A將采用High NA EUV光刻技術(shù)。此外，英特爾還公布了Intel 3、Intel 18A和Intel 14A的數(shù)個(gè)演化版本，以幫助客戶開(kāi)發(fā)和交付符合其特定需求的產(chǎn)品。

　　為了制造出特征尺寸更小的晶體管，在集成High NA EUV光刻技術(shù)的同時(shí)，英特爾也在同步開(kāi)發(fā)新的晶體管結(jié)構(gòu)，并改進(jìn)工藝步驟，如通過(guò)PowerVia背面供電技術(shù)減少步驟、簡(jiǎn)化流程。

　　將研究成果轉(zhuǎn)化為可量產(chǎn)、可應(yīng)用的先進(jìn)產(chǎn)品，是英特爾50多年來(lái)的卓越所在。英特爾將繼續(xù)致力于通過(guò)創(chuàng)新技術(shù)推進(jìn)摩爾定律，以推動(dòng)AI和其它新興技術(shù)的發(fā)展。