Intel今天舉行了兩年來的第一次投資者會議，新任CEO司睿博親自上陣，向投資者們披露了大量未來產(chǎn)品和技術規(guī)劃。
首先是工藝方面，Intel承認在10nm工藝上冒險太大，設置了過高的技術指標，導致一再延期，未來會在新工藝開發(fā)中重新定義預期指標，不一味過高追求。
具體來說，14nm工藝(對標臺積電10nm)會繼續(xù)充實產(chǎn)能，滿足市場需求。10nm工藝(對標臺積電7nm)消費級產(chǎn)品今年年底購物季上架，服務器端明年上半年。
Intel 7nm工藝將對標臺積電5nm，目前的計劃是2021年就投產(chǎn)并發(fā)布相關產(chǎn)品。
這距離10nm量產(chǎn)上架還不到兩年時間，顯然是大大加速了，看起來Intel真的充分汲取了10nm上的教訓，應該對7nm進行了調整，以加速上市。
同時，Intel會持續(xù)像現(xiàn)在的14nm一樣，對每一代新工藝持續(xù)進行優(yōu)化，也就是會繼續(xù)出現(xiàn)很多+++版本，但不會像臺積電、三星那樣改進一下就是新名字(11nm/8nm/6nm)。
10nm今年上陣，明后年將接連出現(xiàn)10nm+、10nm++；7nm 2021年登場，2022年、2023年則連續(xù)推出7nm+、7nm++。
7nm工藝上Intel會第一次使用EVU極紫外光刻，但不確定是初代就加入，還是類似臺積電等待改進版的第二代。
