2月20日,JEDEC(固態(tài)存儲協(xié)會)正式發(fā)布了JESD209-5,即Low Power Double Data Rate 5 (LPDDR5)全新低功耗內存標準。
相較于2014年發(fā)布的第一代LPDDR4標準,LPDDR5的I/O速度從3200 MT/s 提升到6400 MT/s(DRAM速度6400Mbps),直接翻番。如果匹配高端智能機常見的64bit bus,每秒可以傳送51.2GB數(shù)據(jù);要是PC的128bit BUS,每秒破100GB無壓力。
固態(tài)協(xié)會認為,LPDDR5有望對下一代便攜電子設備(手機、平板)的性能產生巨大提升,為了實現(xiàn)這一改進,標準對LPDDR5體系結構進行了重新設計,轉向最高16 Bank可編程和多時鐘體系結構。
同時,還引入了數(shù)據(jù)復制(Data-Copy)和寫X(Write-X)兩個減少數(shù)據(jù)傳輸操作的命令來降低整體系統(tǒng)功耗,前者可以將單個陣腳的數(shù)據(jù)直接復制到其它針腳,后者則減少了SoC和RAM傳遞數(shù)據(jù)時的耗電。
另外,LPDDR5還引入了鏈路ECC糾錯,信號電壓250mV,Vddq/Vdd2電壓還是1.1V。
事實上,去年7月,三星就宣布成功開發(fā)出業(yè)內首款LPDDR5-6400內存芯片,基于10nm級工藝,單顆容量8Gb(1GB),去年10月的在港舉辦的高通4G/5G峰會上,三星人士透露,LPDDR5內存計劃2020年商用。