臺(tái)積電2nm等新制程正式公布！N2 2025年開(kāi)始量產(chǎn)

　　臺(tái)積電在2022年的技術(shù)研討會(huì)上，介紹了未來(lái)的先進(jìn)制程，表示N3工藝將在2022年內(nèi)投產(chǎn)，后續(xù)還有N3E、N3P、N3X等，而N2（2nm）工藝將于2025年開(kāi)始量產(chǎn)。

　　臺(tái)積電在研討會(huì)上首先介紹了N3的FINFLEX，其中包括3-2FIN、2-2FIN和2-1FIN配置：

　　3-2FIN：最快的時(shí)鐘頻率和最高的性能滿足最苛刻的計(jì)算需求

　　2-2FIN：Efficient Performance，性能、功率效率和密度之間的良好平衡

　　2-1FIN：超高能效、最低功耗、最低泄漏和最高密度

　　臺(tái)積電表示FINFLEX擴(kuò)展了3nm系列半導(dǎo)體技術(shù)的產(chǎn)品性能、功率效率和密度范圍，允許芯片設(shè)計(jì)人員使用相同的設(shè)計(jì)工具集為同一芯片上的每個(gè)關(guān)鍵功能塊選擇最佳選項(xiàng)。

　　臺(tái)積電稱N2是其第一個(gè)使用環(huán)繞柵極晶體管 (GAAFET) 的節(jié)點(diǎn)，而非現(xiàn)在的FinFET（鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。新的制造工藝將全面提高性能和功率優(yōu)勢(shì)。在相同功耗下，N2比N3速度快10~15%;相同速度下，功耗降低25~30%。不過(guò)，與N3E相比，N2僅將芯片密度提高了1.1倍左右。

　　N2工藝帶來(lái)了兩項(xiàng)重要的創(chuàng)新：納米片晶體管（臺(tái)積電稱之為 GAAFET）和backside power rail。GAA納米片晶體管的通道在所有四個(gè)側(cè)面都被柵極包圍，從而減少了泄漏;此外，它們的通道可以加寬以增加驅(qū)動(dòng)電流并提高性能，也可以縮小以最大限度地降低功耗和成本。為了給這些納米片晶體管提供足夠的功率，臺(tái)積電的N2使用backside power rail，臺(tái)積電認(rèn)為這是在back-end-of-line (BEOL) 中對(duì)抗電阻的最佳解決方案之一。

　　臺(tái)積電將N2工藝定位于各種移動(dòng)SoC、高性能CPU和GPU。具體表現(xiàn)如何，還需要等到后續(xù)測(cè)試出爐才能得知。