根據(jù)韓聯(lián)社報(bào)道,三星電子預(yù)計(jì)將在下周宣布,他們將開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)3納米芯片,而下一代的3納米芯片將使用GAA技術(shù)。
三星官方介紹稱(chēng),與現(xiàn)有的FinFET工藝相比,新的“GAA(Gate-All-Around)”技術(shù)將使芯片面積減少45%,同時(shí)性能提高30%,功耗降低50%。
三星與臺(tái)積電在芯片制造領(lǐng)域一直都保持著激烈的競(jìng)爭(zhēng)。全球最大的合約芯片制造商臺(tái)積電表示,它將在今年下半年開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)3納米芯片。而此前三星表示,其2納米工藝節(jié)點(diǎn)正處于早期開(kāi)發(fā)階段,計(jì)劃在2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
誰(shuí)買(mǎi)誰(shuí)是冤大頭
這次動(dòng)畫(huà)版的翻車(chē),都算不上我們經(jīng)??吹降哪欠N失敗翻拍,它幾乎只是個(gè)半成品....